本篇看完让你对霍尔电流传感器有更多的了解

　　霍尔电流传感器基于磁平衡式霍尔原理，根据霍尔效应原理，从霍尔元件的控制电流端通入电流Ic，并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁场强度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向(即霍尔输出端之间)，将产生一个电势VH，称其为霍尔电势，其大小正比于控制电流I与磁场强度B的乘积。即有式中:K为霍尔系数，由霍尔元件的材料决定;I为控制电流;B为磁场强度;VH为霍尔电势。
 

　　霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入控制电流IC，当有一磁场B穿过该器件感磁面，则在输出端出现霍尔电势VH。
 

　　霍尔电势VH的大小与控制电流IC和磁通密度B的乘积成正比，即:VH=KHICBsinΘ
 

　　霍尔电流传感器是按照霍尔效应原理制成，对安培定律加以应用，即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场，而霍尔器件则用来测量这一磁场。因此，使电流的非接触测量成为可能。
 

　　通过测量霍尔电势的大小间接测量载流导体电流的大小。因此，电流传感器经过了电-磁-电的绝缘隔离转换。
 

　　下面让我们来了解一下霍尔电流传感器的测量方法吧
 

　　1、原边导线应放置于传感器内孔中心，尽可能不要放偏;
 

　　2、原边导线尽可能*放满传感器内孔，不要留有空隙;
 

　　3、需要测量的电流应接近于传感器的标准额定值IPN，不要相差太大。如条件所限，手头仅有一个额定值很高的传感器，而欲测量的电流值又低于额定值很多，为了提高测量精度，可以把原边导线多绕几圈，使之接近额定值。
 

　　例如当用额定值100A的传感器去测量10A的电流时，为提高精度可将原边导线在传感器的内孔中心绕十圈(一般情况，NP=1;在内孔中绕一圈，NP=2;……;绕九圈，NP=10，则NP×10A=100A与传感器的额定值相等，从而可提高精度);
 

　　4、当欲测量的电流值为IPN/10的时，在25℃仍然可以有较高的精度。
 

　　以上内容便是本次为大家分享关于的相关信息，希望大家在看完之后能够对该产品有更多的了解。